MOSFET针对降压转换器中的每项任务进行了优化(参见图表)。一个10V时最大导通电阻4.5m(4.5V时7.0m)，通常栅电荷6.9nC另一个在10V时为1.84 m(在4.5V时为2.57 m)，通常为9.4nC

额定电流为20-30A或更高，取决于温度和散热器-参见数据表。

Weishi表示：“这款器件为设计人员提供了节省空间的解决方案，用于图形和加速卡、计算机、服务器以及电信和射频网络设备中的负载点转换、电源和同步降压和DC-DC转换器。”

Weishi -SiZF300DT”双mosfet具有独特的引脚配置和结构。与相同占地面积的竞品相比，每相输出电流最多增加11%。另外，当输出电流高于20A时，效率更高。”